【新品速览】德国 femto 推出黑色硅光电接收器

        FEMTO 公司推出的 LCA‑S‑400K‑BSI 是其首款搭载 2×2 mm² 黑硅光电二极管的光电探测器。该黑硅光电二极管在 200 nm 至 950 nm 波长范围内具备近乎理想的光敏度，在大部分有效光谱区间内量子效率可达 90% 及以上。LCA‑S‑400K‑BSI 带宽为直流（DC）至 400 kHz，跨阻增益为 10⁷ V/A，噪声等效功率（NEP）为 110 fW/√Hz。

产品介绍

简单说明

        LCA‑S‑400K‑BSI 光电探测器由黑硅光电二极管与固定增益跨阻放大器组成，专为在 400 kHz 带宽下实现最大增益而优化设计。

        得益于黑硅技术，该探测器在 240–1000 nm 的超宽光谱范围内（含 200 nm 起始的深紫外波段）实现了约 90% 的超高量子效率；而在该波段，传统硅光电二极管的灵敏度会出现显著衰减。

主要特征

☑带宽：直流 ～ 400 kHz

☑跨阻增益：10⁷ V/A

☑等效噪声功率（NEP）：110 fW/√Hz

☑黑硅光电二极管，有效光敏面积 2×2 mm²

☑光谱响应范围：200～1100 nm；在 240～1000 nm 波段量子效率约 90%

☑自由空间光输入，配备 1.035”-40 螺纹接口，兼容绝大多数标准光学设备

☑可通过 PRA 系列转接件轻松实现光纤连接

规格参数

技术原理：黑硅光电二极管

        黑硅是一种经表面微纳结构改性的半导体材料，可实现对入射光的近乎完全吸收。硅表面的纳米级纹理结构使其呈现出标志性的深黑色外观，同时将反射损耗降至最低。传统抛光硅对入射光的反射率最高可达 40%（具体数值随波长变化），而黑硅在宽光谱范围内的反射率通常低于 1%。

1. 超宽光谱范围内近乎理想的量子效率

        黑硅光电二极管的核心优势在于其卓越的量子效率：LCA-S-400K-BSI 型号在 240~1000 nm 波段内量子效率约为 90%。传统硅 PIN 光电二极管在紫外波段因反射和载流子复合损耗，灵敏度会大幅下降；而黑硅光电二极管即使在深紫外波段，灵敏度仍能保持近乎恒定。这使得 LCA-S-400K-BSI 特别适用于需要在宽波长范围内实现均匀光谱响应的应用场景。

2. 优异的紫外灵敏度

        传统硅光电二极管在紫外波段（350 nm 以下）存在显著的灵敏度损失，其原因在于高表面反射率，以及表面附近产生的载流子复合损耗。黑硅光电二极管的纳米结构表面几乎完全消除了反射损耗，同时内置的感应结可高效收集紫外光激发的载流子，因此无需额外镀制特殊紫外增透膜，也无需搭配单独的紫外优化型探测器。

3. 大角度接收范围

        纳米结构表面确保了即使在大入射角下仍保持低反射率。典型黑硅光电二极管在入射角最高达 70° 时仍能提供稳定响应，相比镀制抗反射膜的平面探测器，角度容限大幅提升，可简化光学系统搭建，降低光路对准难度。

4. 可替代多台探测器

        凭借 200~1100 nm 的超宽光谱响应范围，LCA-S-400K-BSI 可简化原本需要紫外、可见、近红外多台探测器的测量系统。单台黑硅光电探测器即可覆盖全波段，降低成本、系统复杂度与校准工作量。

5. 无需额外制冷

        LCA-S-400K-BSI 可在室温下工作，无需像锗光电二极管或部分雪崩光电二极管（APD）那样进行制冷，大幅简化使用流程，支持紧凑型测量系统搭建。

黑硅与标准硅 PIN 光电二极管规格参数对比

应用

☑光谱测量（紫外 - 可见 - 近红外）

☑荧光测量

☑色谱分析

☑反射与透射测量

☑时间分辨光脉冲及光功率测量

☑光源特性表征（含紫外发光二极管及宽带光源）

☑基于斩波调制的高灵敏度测量

☑适用于示波器、模数转换器及锁相放大器的光输入模块（光电转换器）

关于光量科技

北京光量科技有限公司，是德国FEMTO在中国的官方代理商。总部在北京，杭州、长春、深圳均设有办事处，为不同区域的客户提供及时有效的服务。可以为您提供诸如科研相机，光谱仪，飞秒激光器，激光微加工系统，电流/电压/锁相放大器等产品。

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