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用于自由空间耦合THZ发射器和探测器
用于自由空间耦合THZ发射器和探测器
TERAVIL
EMT /DET
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产品概述

THZ发射极和THZ探测器由一个在砷化镓基片上制作的微带光电导天线(PCA)组成。根据泵浦激光波长,低温生长的砷化镓(lt-gaas)或 Gabias 用作光电导体。表面采用普通金属化工艺形成共面赫兹偶极天线结构。光电导天线的几何结构,以及光电导外延层的特性都经过了优化,以获得最高的THZ辐射输出效率,同时保持最佳的带宽。因此,当输出功率为30 mW且脉冲持续时间小于150 fs时,典型的THZ辐射功率超过10μW。探测系统的带宽超过700千兆赫,可用光谱范围为0.1-5太赫兹。


特点

▶基于LT-GaAs or GaBiAs光导材料

▶优化波长为800 nm或1060 nm左右

▶光谱范围宽,噪音低

▶亚皮秒时间分辨率

▶包括技术护照和测试报告


结构

由高密度硅制成,安装在X-Y级。Teravil提供两种标准类型的透镜:用于准直或发散THZ光束输出。在第二种情况下,PCA被放置在硅透镜的再生点,这可以减少THZ光束的球面像差。

THZ发射器或探测器由面板侧的激光束照亮。激光束必须聚焦在两个电极之间(图1)。金属触点之间的间隙类似于探测器外壳中的激光光斑直径,而发射器外壳中的激光光斑直径更大。THZ辐射由集成透镜收集。

调整螺钉用于将硅透镜定位到PCA中心。外壳背面的SMA插座用于将直流或交流偏压连接到THZ发射器,并将锁

定放大器输入连接到THZ检测器。三个M6孔中的任何一个可用于安装在光学台上的THZ发射器。

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特征

▶基于LT-GaAs或GaBiAs光电导材料

▶针对800 nm或1060 nm左右的波长进行了优化

▶光谱范围广,噪音低

▶亚皮秒时间分辨率

▶随附技术护照和测试报告


应用领域

▶时间分辨宽带太赫兹光谱

▶光学泵浦-THz探针光谱

▶太赫兹成像


技术规格

模型

发射器

探测器


EMT-08

EMT-10

DET-08

DET-10


光电导天线

光导材料

LT-GaAs

GaBiAs

LT-GaAs

GaBiAs

晶圆的尺寸

5 × 1.5 mm

厚度

600 µm

天线类型

带状线

偶级

偏压

最大50 V, 典型值40 V

±12 V

中心太赫兹频率

~0.5 THz

0.5 THz

检测到太赫兹带宽

up to 5 THz

集成聚焦镜头

材料

HRFZ-silicon

几何形式

超半球

太赫兹光束输出

准直或发散

X-Y 可调节平台范围

±3 mm

泵浦光束参数

激发波长

800±40 nm

1060±40 nm

800±40 nm

1060±40 nm

平均功率

<50 mW

<20 mW

<50 mW

<20 mW

脉冲持续时间

<150 fs

脉冲重复频率

20-100 MHz

光束轮廓

接近高斯

光束直径

~2 mm

描述

模型

注释

用于800nm波长太赫兹发射器

EMT-8

包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆

用于800nm波长的太赫兹探测器

DET-8

I包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆

用于1060nm波长太赫兹发射器

EMT-10

包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆

用于1060nm波长的太赫兹探测器

EMT-10

包括Si镜头和带BNC连接器的同轴电缆

太赫兹发射器/探测器安装平台

MNT

包括XYZ平台上的泵浦光束聚焦镜头

TMS-100M偏置电源

TMS-100

30 - 70 V DC或方波输出